Tech 10 Опубликовано: 17 июня 2018 Рассказать Опубликовано: 17 июня 2018 По данным источников, в Федеральном суде Техаса жюри присяжных вынесло вердикт о виновности компании Samsung в патентом споре с южнокорейским институтом KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology). Американское подразделение KAIST IP со штаб-квартирой в Далласе подало иск против Samsung о нарушении правил лицензирования передовых технологий. В частности, Samsung якобы незаконно воспользовалась разработками института в области создания вертикальных затворов транзисторов (FinFET). Структура типичного FinFET транзистора (WikiChip) Просмотр полной статьи Цитата Ссылка на сообщение Поделиться на других сайтах
Рекомендованные сообщения
Присоединяйтесь к обсуждению
Вы можете опубликовать сообщение сейчас, а зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, войдите в него для написания от своего имени.
Примечание: вашему сообщению потребуется утверждение модератора, прежде чем оно станет доступным.